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发明

一种醇类聚合物辅助生长高质量CsPbBr3钙钛矿单晶的方法2023

2023-10-01 07:21:43 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202310878475.X
  • 公开（公告）日：2023-09-29
  • 公开（公告）号：CN116815316A
  • 申请人：中国石油大学（华东）
摘要：本发明公开了一种将聚乙二醇(PEG)作为添加剂辅助生长全无机CsPbBr3钙钛矿单晶的方法。以PEG作为溶液法生长单晶的添加剂，可以有效避免CsPbBr3单晶在生长过程中出现的爆发性形核及生长孪晶、多晶等问题，调控后CsPbBr3单晶的缺陷态密度降低一个数量级。并且由PEG调控后生长的高质量CsPbBr3单晶制备的光电探测器，其响应度提升了大约6倍，可以达到2.23A/W，探测率也有大约3倍的提升，提升至6.06×1011Jones。通过将PEG添加到前驱体溶液中，可以得到具有高透明度、大尺寸、低缺陷密度的CsPbBr3单晶。本发明为钙钛矿单晶的制备提出了新思路。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116815316 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310878475.X (22)申请日 2023.07.18 (71)申请人 中国石油大学（华东） 地址 266580 山东省青岛市黄岛区长江西 路66号 (72)发明人 孙馨愉　张腾　朱士慧　王泰霖　 (51)Int.Cl. C30B 29/22 (2006.01) C30B 7/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 一种醇类聚合物辅助生长高质量CsPbBr 钙 3 钛矿单晶的方法 (57)摘要 本发明公开了一种将聚乙二醇(PEG)作为添 加剂辅助生长全无机CsPbBr 钙钛矿单晶的方 3 法。以PEG作为溶液法生长单晶的添加剂，可以有 效避免CsPbBr 单晶在生长过程中出现的爆发性 3 形核及生长孪晶、多晶等问题，调控后CsPbBr 单 3 晶的缺陷态密度降低一个数量级。并且由PEG调 控后生长的高质量CsPbBr 单晶制备的光电探测 3 器，其响应度提升了大约6倍，可以达到2.23A/W， 探测率也有大约3倍的提升，提升至6 .06

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