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底层组成物与半导体装置的制造方法

2023-06-23 07:10:46 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202110558807.7
  • 公开(公告)日:2025-05-02
  • 公开(公告)号:CN113296359A
  • 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
摘要:制造半导体装置的方法包含在基板上形成底层。底层包含具有侧链目标基团与侧链有机基团或侧链光酸产生剂基团的主聚合物链的聚合物。主聚合物链为聚苯乙烯、聚羟基苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸、聚乙烯基酯、聚甲基丙烯腈或聚甲基丙烯酰胺。侧链目标基团为取代或无取代的C2至C30二元醇基、C1至C30醛基或C3至C30酮基。侧链有机基团为具有光敏性官能团的C3至C30脂肪族或芳香基,且侧链光酸产生剂基团为被取代的C3至C50脂肪族或芳香基。在底层上形成光阻层。选择性地曝光光阻层。显影曝光的光阻层以形成图案。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113296359 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 202110558807.7 (22)申请日 2021.05.21 (30)优先权数据 63/028,648 2020.05.22 US 17/231,402 2021.04.15 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力 行六路八号 (72)发明人 陈建志  (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理 有限公司 11006 代理人 徐金国 (51)Int.Cl. G03F 7/004 (2006.01) G03F 7/09 (2006.01) 权利要求书2页 说明书21页 附图31页 (54)发明名称 底层组成物与半导体装置的制造方法 (57)摘要 制造半导体装置的方法包含在基板上形成 底层。底层包含具有侧链目标基团与侧链有机基 团或侧链光酸产生剂基团的主聚合物链的聚合 物。主聚合物链为聚苯乙烯、聚羟基苯乙烯、聚丙 烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙 烯酸、聚乙烯基酯、聚甲基丙烯腈或聚甲基丙烯 酰胺。侧链目标基团为取代或无取代的C2至C30 二元醇基、C1至C30醛基或C3至C30酮基。侧链有 机基团为具有光敏性官能团的C3至C30脂肪族或 芳香基,且侧链光酸产生剂基团为被取代的C3至 C50脂肪族或芳香基。在底

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