底层组成物与半导体装置的制造方法
- 申请专利号:CN202110558807.7
- 公开(公告)日:2025-05-02
- 公开(公告)号:CN113296359A
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113296359 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 202110558807.7 (22)申请日 2021.05.21 (30)优先权数据 63/028,648 2020.05.22 US 17/231,402 2021.04.15 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力 行六路八号 (72)发明人 陈建志 (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理 有限公司 11006 代理人 徐金国 (51)Int.Cl. G03F 7/004 (2006.01) G03F 7/09 (2006.01) 权利要求书2页 说明书21页 附图31页 (54)发明名称 底层组成物与半导体装置的制造方法 (57)摘要 制造半导体装置的方法包含在基板上形成 底层。底层包含具有侧链目标基团与侧链有机基 团或侧链光酸产生剂基团的主聚合物链的聚合 物。主聚合物链为聚苯乙烯、聚羟基苯乙烯、聚丙 烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙 烯酸、聚乙烯基酯、聚甲基丙烯腈或聚甲基丙烯 酰胺。侧链目标基团为取代或无取代的C2至C30 二元醇基、C1至C30醛基或C3至C30酮基。侧链有 机基团为具有光敏性官能团的C3至C30脂肪族或 芳香基,且侧链光酸产生剂基团为被取代的C3至 C50脂肪族或芳香基。在底
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