锭生长装置

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114277437 A (43)申请公布日 2022.04.05 (21)申请号 202011404804.X (22)申请日 2020.12.03 (30)优先权数据 10-2020-0126319 2020.09.28 KR (71)申请人 韩华思路信 地址 韩国首尔 (72)发明人 李泳敏　李京锡　朴镇成　裵东佑　 (74)专利代理机构 北京派特恩知识产权代理有 限公司 11270 代理人 陈万青　李雪 (51)Int.Cl. C30B 29/06 (2006.01) C30B 15/14 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图9页 (54)发明名称 锭生长装置 (57)摘要 本发明公开锭生长装置。本发明实施例的锭 生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭 生长而收容熔融硅的主坩埚；基座，包围上述主 坩埚的外侧面，用于对上述主坩埚进行加热；加 热器，设置有线圈，上述线圈以包围上述基座的 外侧面的方式形成，通过接收电源来产生磁场， 借助因上述磁场而产生的电磁感应来对上述基 座进行加热；以及绝热部件，配置于上述线圈与 上述基座之间。 A 7 3 4 7 7 2 4 1 1 N C CN 114277437 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种锭生长装置，其特征在于，