光学临近修正、光掩模版制作及图形化方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112241102 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 201910655742.0 (22)申请日 2019.07.19 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限 公司 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号 申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限 公司 (72)发明人 杜杳隽　李亮　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 吴敏 (51)Int.Cl. G03F 1/36(2012.01) G03F 7/20(2006.01) 权利要求书3页 说明书9页 附图8页 (54)发明名称 光学临近修正、光掩模版制作及图形化方法 (57)摘要 一种光学临近修正、光掩模版制作及图形化 方法，其中光学临近修正方法包括：提供目标图 形；增大目标图形的边长，形成初始图形；对初始 图形进行修正，获得对应的第一修正图形；形成 辅助图形，辅助图形包围第一修正图形；将第一 修正图形和辅助图形进行差异因子比较；如果差 异因子的值大于预定阈值，增大所第一修正图形 对应的目标图形的面积，形成修正目标图形；对 第一修正图形进行过程修正，获取对应的过程修 正图形；重复上述进行差异因子比较的步骤，直 至修正满足的预定次数；对形成的第