发明

一种光耦合器封装结构2025

2024-06-01 07:25:59 发布于四川 3
  • 申请专利号:CN202410252974.2
  • 公开(公告)日:2025-04-04
  • 公开(公告)号:CN118073344A
  • 申请人:安徽泓冠光电科技有限公司
摘要:本发明涉及光耦技术领域,具体为一种光耦合器封装结构;通过设置的陶瓷基板组件和导电金属,一方面可以提高导电金属的抗拉能力,大大减小断线发生的可能性,同时通过陶瓷基板组件本身较高的绝缘耐压性能来一定程度提高产品的耐压性能,并且通过陶瓷基板组件对导电金属的支撑和防护,可以通过增大电气间隙来进一步提升耐压性能,也使导电金属在焊接过程中不会发生晃动等情况,从而在满足耐压性能的情况下同时保证焊接的良率,此外,通过设置的光纤和反光涂层,相对于传统的双塑封结构工艺生产的光耦,其光电传输比相对更高,同时工序更加简单,从而节省加工时间和人工成本;解决了传统金线键合工艺制作而成的光耦良率较低的问题。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118073344 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410252974.2 (22)申请日 2024.03.06 (71)申请人 安徽泓冠光电科技有限公司 地址 246400 安徽省安庆市太湖县经济开 发区龙山东路7号 (72)发明人 方成应 王超缙 周星喜 陈仕财  (74)专利代理机构 合肥汇融专利代理有限公司 34141 专利代理师 武赛 (51)Int.Cl. H01L 25/16 (2023.01) H01L 33/48 (2010.01) H01L 33/62 (2010.01) H01L 31/0203 (2014.01) H01L 31/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图7页 (54)发明名称 一种光耦合器封装结构 (57)摘要 本发明涉及光耦技术领域,具体为一种光耦 合器封装结构;通过设置的陶瓷基板组件和导电 金属,一方面可以提高导电金属的抗拉能力,大 大减小断线发生的可能性,同时通过陶瓷基板组 件本身较高的绝缘耐压性能来一定程度提高产 品的耐压性能,并且通过陶瓷基板组件对导电金 属的支撑和防护,可以通过增大电气间隙来进一 步提升耐压性能,也使导电金属在焊接过程中不 会发生晃动等情况,从而在满足耐压性能的情况 下同时保证焊接的良率,此外,通过设置的光纤 和反光涂层,相对于传统的双塑

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