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PCT发明

皮膜形成方法

2023-08-31 07:18:19 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202180085799.7
  • 公开（公告）日：2025-05-23
  • 公开（公告）号：CN116648312A
  • 申请人：东华隆股份有限公司
摘要：本发明的皮膜形成方法包括：第一工序，在金属基材(2)的表面(2a)涂布含有聚硅氮烷的第一溶液，并加热所述第一溶液，而在所述金属基材(2)的表面(2a)形成第一皮膜(1)；以及第二工序，在所述第一皮膜(1)的表面(1a)涂布含有聚硅氮烷的第二溶液，以较所述第一工序的加热温度低的温度进行加热，而在所述第一皮膜(1)的表面(1a)形成第二皮膜(3)，所述第一皮膜的密度小于2.00g/cm3，所述第二皮膜的密度为2.00g/cm3以上。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116648312 A (43)申请公布日 2023.08.25 (21)申请号 202180085799.7 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理 有限公司 11205 (22)申请日 2021.11.11 专利代理师 杨丽　臧建明 (30)优先权数据 (51)Int.Cl . 2020-213363 2020.12.23 JP B05D 1/38 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2023.06.19 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2021/041604 2021.11.11 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2022/137873 JA 2022.06.30 (71)申请人 东华隆股份有限公司 地址 日本兵库县神戸市中央区港岛南町六 丁目4番4号 (72)发明人 田辺崇臣　河内诚一郎　桧山耕作　 权利要求书1页 说明书12页 附图4页 (54)发明名称 皮膜形成方法 (57)摘要

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