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存储器子字驱动器布局

2023-05-20 11:00:25 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202111367871.3
  • 公开(公告)日:2025-06-03
  • 公开(公告)号:CN114913891A
  • 申请人:美光科技公司
摘要:本申请案涉及存储器子字驱动器布局。公开包含活动区和栅极电极的半导体装置。根据本公开的实例半导体装置包含在第一方向上延伸的栅极电极以及在第二方向上延伸的第一活动区和第二活动区。所述栅极电极具有在所述第一方向上延伸的侧。所述第一活动区包含:第一中心部分,其具有在所述第一方向上的第一宽度;以及第一末端部分,其安置在所述第一中心部分的第一末端处,且具有大于所述第一宽度的在所述第一方向上的第二宽度。所述第二活动区包含:第二中心部分,其具有在所述第一方向上的第三宽度。所述栅极电极沿着所述侧与所述第一末端部分和所述第二中心部分的部分重叠。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114913891 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202111367871.3 (22)申请日 2021.11.18 (30)优先权数据 17/171,906 2021.02.09 US (71)申请人 美光科技公司 地址 美国爱达荷州 (72)发明人 横道政宏  (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 专利代理师 王龙 (51)Int.Cl. G11C 8/14 (2006.01) G11C 8/12 (2006.01) G11C 8/18 (2006.01) G11C 5/14 (2006.01) 权利要求书3页 说明书11页 附图5页 (54)发明名称 存储器子字驱动器布局 (57)摘要 本申请案涉及存储器子字驱动器布局。公开 包含活动区和栅极电极的半导体装置。根据本公 开的实例半导体装置包含在第一方向上延伸的 栅极电极以及在第二方向上延伸的第一活动区 和第二活动区。所述栅极电极具有在所述第一方 向上延伸的侧。所述第一活动区包含:第一中心 部分,其具有在所述第一方向上的第一宽度;以 及第一末端部分,其安置在所述第一中心部分的 第一末端处,且具有大于所述第一宽度的在所述 第一方向上的第二宽度。所述第二活动区包含: 第二中心部分,其具有在所述第一方向上的第三 宽度。所述栅极电极沿着所述侧与所述第一末端 A

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