半导体存储装置和操作半导体存储装置的方法
- 申请专利号:CN202010469361.6
- 公开(公告)日:2025-07-18
- 公开(公告)号:CN112289367A
- 申请人:三星电子株式会社
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112289367 A (43)申请公布日 2021.01.29 (21)申请号 202010469361.6 (22)申请日 2020.05.28 (30)优先权数据 10-2019-0089411 2019.07.24 KR (71)申请人 三星电子株式会社 地址 韩国京畿道 (72)发明人 金尚玧 徐宁焄 权慧贞 李明奎 赵诚慧 (74)专利代理机构 北京市立方律师事务所 11330 代理人 李娜 (51)Int.Cl. G11C 29/42 (2006.01) 权利要求书4页 说明书20页 附图35页 (54)发明名称 半导体存储装置和操作半导体存储装置的 方法 (57)摘要 提供了半导体存储装置和操作半导体存储 装置的方法。所述半导体存储装置包括存储单元 阵列、ECC引擎、至少一个电压发生器和控制逻辑 电路。所述存储单元阵列包括耦接到字线和位线 的多个存储单元以及感测存储在所述多个存储 单元中的数据的多个读出放大器。所述ECC引擎 从所述存储单元阵列的目标页面读取存储数据, 对所述存储数据执行ECC解码,基于所述ECC解 码,检测所述存储数据中的错误,并输出与所述 错误相关联的错误信息。所述至少一个电压发生 器分别向所述多个读出放大器提供驱动电压。所 A 述控制逻辑电路控制所述ECC引擎,以及基于包 7 括所述错误信息的错误模式信息,控制所述至少 6 3 9 一个电压发生
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