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半导体存储装置和操作半导体存储装置的方法

2023-05-28 12:21:47 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202010469361.6
  • 公开(公告)日:2025-07-18
  • 公开(公告)号:CN112289367A
  • 申请人:三星电子株式会社
摘要:提供了半导体存储装置和操作半导体存储装置的方法。所述半导体存储装置包括存储单元阵列、ECC引擎、至少一个电压发生器和控制逻辑电路。所述存储单元阵列包括耦接到字线和位线的多个存储单元以及感测存储在所述多个存储单元中的数据的多个读出放大器。所述ECC引擎从所述存储单元阵列的目标页面读取存储数据,对所述存储数据执行ECC解码,基于所述ECC解码,检测所述存储数据中的错误,并输出与所述错误相关联的错误信息。所述至少一个电压发生器分别向所述多个读出放大器提供驱动电压。所述控制逻辑电路控制所述ECC引擎,以及基于包括所述错误信息的错误模式信息,控制所述至少一个电压发生器增大所述多个读出放大器中的每个读出放大器的操作容限。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112289367 A (43)申请公布日 2021.01.29 (21)申请号 202010469361.6 (22)申请日 2020.05.28 (30)优先权数据 10-2019-0089411 2019.07.24 KR (71)申请人 三星电子株式会社 地址 韩国京畿道 (72)发明人 金尚玧 徐宁焄 权慧贞 李明奎  赵诚慧  (74)专利代理机构 北京市立方律师事务所 11330 代理人 李娜 (51)Int.Cl. G11C 29/42 (2006.01) 权利要求书4页 说明书20页 附图35页 (54)发明名称 半导体存储装置和操作半导体存储装置的 方法 (57)摘要 提供了半导体存储装置和操作半导体存储 装置的方法。所述半导体存储装置包括存储单元 阵列、ECC引擎、至少一个电压发生器和控制逻辑 电路。所述存储单元阵列包括耦接到字线和位线 的多个存储单元以及感测存储在所述多个存储 单元中的数据的多个读出放大器。所述ECC引擎 从所述存储单元阵列的目标页面读取存储数据, 对所述存储数据执行ECC解码,基于所述ECC解 码,检测所述存储数据中的错误,并输出与所述 错误相关联的错误信息。所述至少一个电压发生 器分别向所述多个读出放大器提供驱动电压。所 A 述控制逻辑电路控制所述ECC引擎,以及基于包 7 括所述错误信息的错误模式信息,控制所述至少 6 3 9 一个电压发生