发明

一种双层石墨烯逻辑反相器

2023-07-09 07:15:39 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310374765.0
  • 公开(公告)日:2025-05-02
  • 公开(公告)号:CN116405019A
  • 申请人:山西大学|||中国科学院金属研究所
摘要:本发明属于纳米材料异质结构应用技术领域,具体涉及一种双层石墨烯逻辑反相器。为提高石墨烯晶体管的开关比,本发明在二维反铁磁绝缘体CrOCl的双层石墨烯体系里,借助于他们之间的界面耦合效应所产生的关联绝缘态,对两个不同的场效应器件通过改变栅压范围来分别实现P型/N型场效应曲线,将其按照CMOS逻辑反相器的接线方式连接,在Vdd为0.15V的情况下,输入电压为3V至8V,实现了Vout在Vin为一定的阈值电压时发生翻转至0V的双层石墨烯CMOS逻辑反相器。为石墨烯逻辑器件的实现提供了新的道路。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116405019 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202310374765.0 (22)申请日 2023.04.10 (71)申请人 山西大学 地址 030006 山西省太原市小店区坞城路 92号 申请人 中国科学院金属研究所 (72)发明人 韩拯 杨凯宁 王雅宁 高翔  张桐耀 叶堉 高宇辰  (74)专利代理机构 太原申立德知识产权代理事 务所(特殊普通合伙) 14115 专利代理师 程园园 (51)Int.Cl. H03K 19/20 (2006.01) H03K 19/094 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 一种双层石墨烯逻辑反相器 (57)摘要 本发明属于纳米材料异质结构应用技术领 域,具体涉及一种双层石墨烯逻辑反相器。为提 高石墨烯晶体管的开关比,本发明在二维反铁磁 绝缘体CrOCl的双层石墨烯体系里,借助于他们 之间的界面耦合效应所产生的关联绝缘态,对两 个不同的场效应器件通过改变栅压范围来分别 实现P型/N型场效应曲线,将其按照CMOS逻辑反 相器的接线方式连接,在Vdd为0 .15V的情况下, 输入电压为3V至8V,实现了Vout在Vin为一定的 阈值电压时发生翻转至0V的双层石墨烯CMOS逻 辑反相器。为石墨烯逻辑器件的实现提供了新的 道路。 A 9 1 0 5 0

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