比较器电路、失配校正方法和存储器2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116846371 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202210294447.9 (22)申请日 2022.03.23 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发 区空港工业园兴业大道388号 (72)发明人 田凯　朱玲　 (74)专利代理机构 上海晨皓知识产权代理事务 所(普通合伙) 31260 专利代理师 成丽杰 (51)Int.Cl. H03K 5/24 (2006.01) G11C 29/02 (2006.01) 权利要求书4页 说明书14页 附图6页 (54)发明名称 比较器电路、失配校正方法和存储器 (57)摘要 本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及 一种比较器电路、失配校正方法和存储器，包括： 第一晶体管，一端子耦合第一节点，另一端子耦 合第一控制节点，栅极用于接收第一控制信号； 第二晶体管，一端子耦合第一节点，另一端子耦 合第二控制节点，栅极用于接收第二控制信号； 负载单元，一端耦合第二节点，另一端耦合第一 控制节点和第二控制节点；第一调节电路用于根 据第一调节信号，调节第一晶体管基于第一控制 信号导通后，第一控制节点的节点电位；第二调 节电路用于根据第二调节信号，调节第二晶体管 基于第二控制信号导通后，第二控制节点的节点 A 电位，以消除差分结构的两个输入晶体管之间的 1 失配，进而改进存储器性能。 7 3 6 4