DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112331256 A (43)申请公布日 2021.02.05 (21)申请号 202011267707.0 (22)申请日 2020.11.13 (71)申请人 深圳佰维存储科技股份有限公司 地址 518000 广东省深圳市南山区桃源街 道同富裕工业城4号厂房1楼、2楼、4 楼、5楼 (72)发明人 孙成思　孙日欣　刘冲　雷泰　 (74)专利代理机构 深圳市博锐专利事务所 44275 代理人 欧阳燕明 (51)Int.Cl. G11C 29/56 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图4页 (54)发明名称 DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子 设备 (57)摘要 本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读 存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行 两轮测试，对已写入预设测试数据的所有存储单 元进行环绕访问，在环绕访问过程中得到比较结 果，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结 果，相对于现有技术中通过突发读写模式进行的 内存测试，难以检测到多存储单元故障，本发明 能够覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中 较难被发现的芯片缺陷，使桥接故障和耦合故障 等多存储单元故障得到激发，提高了故障覆盖 率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。 A 6 5 2 1 3 3 2 1 1 N C CN 112331256 A