一种透明导电氧化物ITO薄膜及其制备方法和应用2024

专利内容

本发明公开了一种透明导电氧化物ITO薄膜的制备方法，包括以下步骤：A1：选取硅片，在硅片两面微晶硅层上沉积ITO透明导电层；A2：待所述步骤A1的ITO透明导电层制备完成后，将所述硅片放入微波环境下进行微波处理，所述微波处理的条件为：频率1‑3GHz，功率范围500‑1200W，处理时间为30‑100秒，即制得透明导电氧化物ITO薄膜。本发明还公开了透明导电氧化物ITO薄膜的应用，所述应用包括将所述透明导电氧化物ITO薄膜应用于异质结太阳能电池的制备中，以提高异质结太阳能电池的电学性能和光学性能。本发明中的透明导电氧化物ITO薄膜具备高透光率以及低方阻，应用于异质结太阳能电池中，提高了电池的光电转化效率和稳定性。H01L31/18(2006.01);H01L31/20(2006.01);H01L31/0224(2006.01);H01L31/0747(2012.01)