一种栅极氧化层烧写电路以及烧写方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112511141 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 202011402055.7 (22)申请日 2020.12.04 (71)申请人 苏州锴威特半导体股份有限公司 地址 215600 江苏省苏州市张家港市沙洲 湖科技创新园A-1幢9层 (72)发明人 张胜　涂才根　谭在超　丁国华　 罗寅　 (74)专利代理机构 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人 杜静静 (51)Int.Cl. H03K 17/08 (2006.01) H03K 17/567 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (54)发明名称 一种栅极氧化层烧写电路以及烧写方法 (57)摘要 本发明涉及一种栅极氧化层烧写电路，所述 烧写电路包括高耐压PMOS管HP1、高耐压NMOS管 HN1和HN2、低耐压NMOS管LN1和LN2、高压电源VH 和低压电源VL，所述高压电源VH连接高耐压PMOS 管HP1的漏极，高耐压PMOS管HP1的源极连接高耐 压NMOS管HN1的漏极，高耐压NMOS管HN1的漏极接 地，低耐压NMOS管LN1和LN2之间连接高耐压NMOS 管HN2；该技术方案既可以在芯片封装后进行，使 得封装对芯片的影响可以得到修正。同时利用本 专利方法设计的电路，其芯片面积可以做的非常 小，生产成本低。 A 1 4 1 1 1 5 2 1