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发明

一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法2025

2024-01-06 07:13:55 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202311247451.0
  • 公开（公告）日：2025-05-27
  • 公开（公告）号：CN117318660A
  • 申请人：浙江汇隆晶片技术有限公司
摘要：本发明涉及石英晶体谐振器领域，具体公开了一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法，所述凹腔体结构光刻高基频晶片的材质为石英，且其厚度为8μm‑30μm，所述凹腔体结构光刻高基频晶片呈长方形设置；本发明中通过Wafer晶片在离子溅射镀膜时在磁场较弱区设计遮蔽装置，使该区域溅射出的金离子，吸附在遮蔽装置上，而不会溅射到Wafer晶片上，从而达到Wafer晶片在行进过程中，始终在磁场较强区，直线接收溅射区域的金离子，使石英晶体频率片初始频率偏差可以控制在‑9000ppm～‑3000ppm，全距可以控制在6000ppm以内，使石英晶片经过腐蚀后，不仅表面平整度和频率大大提升，而且谐振电阻得到降低。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117318660 A (43)申请公布日 2023.12.29 (21)申请号 202311247451.0 (22)申请日 2023.09.26 (71)申请人 浙江汇隆晶片技术有限公司 地址 321016 浙江省金华市婺城区工业园 区秋涛北街399号 (72)发明人 叶国萍　辜批林　李杰　 (74)专利代理机构 南京中高专利代理有限公司 32333 专利代理师 陈勇 (51)Int.Cl. H03H 9/19 (2006.01) H03H 3/02 (2006.01) H03H 9/125 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/04 (2006.01) 权利要求书2页 说明书12页 附图8页 (54)发明名称 一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英 晶体谐振器制备方法 (57)摘要 本发明涉及石英晶体谐振器领域，具体公开 了一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶 体谐振器制备方法，所述凹腔体结构光刻高基频 晶片的材质为石英，且其厚度为8 μm‑30 μm ，所 述凹腔体结构光刻高基频晶片呈长方形设置；本 发明中通过Wafer晶片在离子溅射镀膜时在磁场 较弱区设计遮蔽装置，使该区域溅射出的金离 子，吸附在遮蔽装置上，而不会溅射到Wafer晶片 上，从而达到Wafer晶片在行进过程中，始终在磁 场较强区，直线接收溅射区

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