一种芯片的可测试设计方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117825924 A (43)申请公布日 2024.04.05 (21)申请号 202311869516.5 (22)申请日 2023.12.29 (71)申请人 无锡中微亿芯有限公司 地址 214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西 路777号A6幢1-4层 (72)发明人 惠锋　董志丹　虞健　刘双　 (74)专利代理机构 无锡华源专利商标事务所 (普通合伙) 32228 专利代理师 过顾佳 (51)Int.Cl. G01R 31/28 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种芯片的可测试设计方法 (57)摘要 本申请公开了一种芯片的可测试设计方法， 涉及芯片领域，该可测试设计方法对芯片内部至 少一个预定位置处的资源模块，以资源模块的模 块基础结构为基础将所述资源模块优化设计为 双模式资源模块，设计得到内部包含双模式资源 模块的芯片，然后即可利用双模式资源模块在处 于直通工作模式时形成的输入端至输出端的直 通路径来构建测试输入输出端口与待测试资源 模块之间的测试路径且不影响测试覆盖率，该可 测试设计方法提升了芯片的可测试性能，保证了 芯片内资源模块的测试需求，满足芯片的测试需 求并提升测试效率。 A 4 2 9 5 2 8 7 1 1 N C CN 117825924 A 权　利　要　求　书