发明

屏蔽膜及其制作方法

2023-06-02 12:07:18 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN201910835890.0
  • 公开(公告)日:2025-04-08
  • 公开(公告)号:CN112449566A
  • 申请人:苏州维业达科技有限公司|||苏州大学
摘要:本发明公开了一种屏蔽膜,包括由微电铸制备形成包括多条金属线的屏蔽区,以及由微电铸制备形成、连接于所述屏蔽区至少一侧、用以降低所述屏蔽区整体的厚度差异的缓冲区。本发明还公开了一种屏蔽膜的制作方法,该方法包括:提供具有屏蔽区图形凹槽以及与屏蔽区图形凹槽连接的缓冲区图形凹槽的固化胶层;在屏蔽区图形凹槽和缓冲区图形凹槽内采用微电铸制备屏蔽区以及与屏蔽区连接的缓冲区;将连接在一起的屏蔽区和缓冲区与固化胶层分离,获得屏蔽膜。通过微电铸制备屏蔽区以及在屏蔽区至少一侧制备缓冲区,使得屏蔽区的整体的厚度差异较小,从而使屏蔽区的厚度比较均匀,进而增强了屏蔽膜的电磁屏蔽效果。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112449566 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 201910835890.0 (22)申请日 2019.09.05 (71)申请人 苏州维业达触控科技有限公司 地址 215026 江苏省苏州市苏州工业园区 新昌路68号 (72)发明人 刘麟跃 周小红 基亮亮  (74)专利代理机构 上海波拓知识产权代理有限 公司 31264 代理人 杨波 (51)Int.Cl. H05K 9/00(2006.01) C25D 1/10(2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图5页 (54)发明名称 屏蔽膜及其制作方法 (57)摘要 本发明公开了一种屏蔽膜,包括由微电铸制 备形成包括多条金属线的屏蔽区,以及由微电铸 制备形成、连接于所述屏蔽区至少一侧、用以降 低所述屏蔽区整体的厚度差异的缓冲区。本发明 还公开了一种屏蔽膜的制作方法,该方法包括: 提供具有屏蔽区图形凹槽以及与屏蔽区图形凹 槽连接的缓冲区图形凹槽的固化胶层;在屏蔽区 图形凹槽和缓冲区图形凹槽内采用微电铸制备 屏蔽区以及与屏蔽区连接的缓冲区;将连接在一 起的屏蔽区和缓冲区与固化胶层分离,获得屏蔽 膜。通过微电铸制备屏蔽区以及在屏蔽区至少一 侧制备缓冲区,使得屏蔽区的整体的厚度差异较 A 小,从而使屏蔽区的厚度比较均匀,进而增强

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