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发明

低电场下高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料及其制备方法2025

2023-12-29 07:20:34 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202311238085.2
  • 公开（公告）日：2025-06-17
  • 公开（公告）号：CN117285347A
  • 申请人：西安理工大学
摘要：本发明公开的低电场下高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料，化学组成通式为(1‑x)(Bi0.5Na0.5Ti03‑BaTiO3)‑xCa0.5TaO3，其中x为0.01～0.15；本发明的低电场下高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料的制备方法，步骤如下：按照化学组成通式的化学计量比进行配料，依次进行一次球磨、一次干燥、预烧、二次球磨、二次干燥、过筛、压片、冷等静压和烧结，得到低电场下高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料。本发明的钛酸铋钠基陶瓷材料及其制备方法，在基体中引入第三组元，晶粒尺寸小，剩余极化强度低，低电场下具有极高的储能密度；采用冷等静压技术，节省成本，坯体密度高且均匀，坯体内应力小；对环境友好。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117285347 A (43)申请公布日 2023.12.26 (21)申请号 202311238085.2 (22)申请日 2023.09.22 (71)申请人 西安理工大学 地址 710048 陕西省西安市碑林区金花南 路5号 (72)发明人 王娟娟　马鹏康　段学良　赖福生　 陈明阳　 (74)专利代理机构 西安弘理专利事务所 61214 专利代理师 弓长 (51)Int.Cl. C04B 35/475 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) B28B 3/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 低电场下高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材 料及其制备方法 (57)摘要 本发明公开的低电场下高储能密度的钛酸 铋钠基陶瓷材料，化学组成通式为 (1‑x) (Bi Na Ti0 ‑BaTiO ) ‑xCa TaO ，其中x为 0 .5 0 .5 3 3 0 .5 3 0.01 ～0.15；本发明的低电场下高储能密度的钛 酸铋钠基陶瓷材料的制备方法，步骤如下：按照 化学组成通式的化学计量比进行配料，依次进行 一次球磨、一次干燥、预烧、二次球磨、二次干燥、 过筛、压片、冷等静压和烧结，得到低电场下高储 能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料。本发明的钛酸铋 钠基陶瓷材料及其制备方法，在基体中引入第三 组元，晶粒尺寸小，剩余极化强度低，低电场下具

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