一种提拉法生长氧化镓晶体的双腔结构与方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114232070 A (43)申请公布日 2022.03.25 (21)申请号 202111306205.9 (22)申请日 2021.11.05 (71)申请人 浙江大学杭州国际科创中心 地址 311200 浙江省杭州市萧山区建设三 路733号 (72)发明人 张辉　王嘉斌　夏宁　马可可　 刘莹莹　杨德仁　 (74)专利代理机构 杭州裕阳联合专利代理有限 公司 33289 代理人 吴文杰 (51)Int.Cl. C30B 15/00 (2006.01) C30B 29/16 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种提拉法生长氧化镓晶体的双腔结构与 方法 (57)摘要 本发明公开了一种提拉法生长氧化镓晶体 的双腔结构与方法，包括主腔体、第二腔体、加热 线圈、保温材料组件以及提拉旋转装置，所述第 二腔体设置于主腔体的顶端并与主腔体相通，所 述主腔体中心处设有坩埚托与加热坩埚，所述坩 埚托下方设有坩埚升降装置；其中，所述第二腔 体与主腔体之间设有推拉式挡块装置，用于将第 二腔体与主腔体隔绝；所述提拉旋转装置上设有 籽晶更换装置；在晶体原料熔融引晶生长前，将 籽晶下降至主腔体接触熔体，通过快速放肩，包 覆漂浮物生长，然后控制籽晶杆提升至本发明设 A 计中提及的第二腔体内，通过设计的中间隔板装 0 置密封主腔体，更换新的籽晶后重新引晶生长，