灰阶掩模版结构

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113885294 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202111094251.7 (22)申请日 2021.09.17 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技 园区祖冲之路1399号 (72)发明人 王辉　 (74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限 公司 31211 代理人 戴广志 (51)Int.Cl. G03F 1/32 (2012.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 灰阶掩模版结构 (57)摘要 本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体 涉及一种灰阶掩模版结构。灰阶掩模版结构包括 遮光部、半透光部和透光部；半透光部位于遮光 部和透光部之间，且半透光部围绕透光部的边缘 设置；半透光部位的透光率，从半透光部靠近透 光部的一侧至半透光部靠近遮光部的一侧逐渐 递减；透光部的边缘形成边缘转角，半透光部包 括与边缘转角相对应的半透光转角区，半透光转 角区用于将相邻两个延伸方向不同的半透光侧 边区相连；半透光转角区中设有多层透光率调整 结构，多层透光率调整结构由靠近透光部的一侧 至靠近遮光部的一侧逐层间隔排布；各层透光率 A 调整结构的透光率，由靠近透光部的一侧至靠近 4 遮光部的一侧逐层递减。 9 2 5 8 8 3 1 1 N C CN 113885294 A