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发明

一种高介电常数锆钛酸铅薄膜的制备方法

2023-05-28 11:46:06 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202310024541.7
  • 公开（公告）日：2025-03-25
  • 公开（公告）号：CN116145094A
  • 申请人：泉州师范学院
摘要：本发明公开了一种高介电常数锆钛酸铅薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)将PbO、TiO2和ZrO2按一定质量比混合，混匀后再添加聚乙烯醇(PVA)水溶液，充分研磨，压制成靶，再进行一次烧结；2)将步骤1)烧结后的物质进行球磨粉碎后，再往其内加入过渡金属氧化物，充分研磨，压制成靶，再进行二次烧结，烧结后制成掺杂锆钛酸铅靶材；3)用磁控溅射方法对烧结后制成的掺杂锆钛酸铅靶材进行锆钛酸铅薄膜沉积，并在一定功率密度下进行溅射；4)将锆钛酸铅薄膜进行快速热处理，得到高介电常数锆钛酸铅薄膜。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116145094 A (43)申请公布日 2023.05.23 (21)申请号 202310024541.7 (22)申请日 2023.01.09 (71)申请人 泉州师范学院 地址 362000 福建省泉州市丰泽区东海大 街398号 (72)发明人 潘淼　谢清来　苏子生　王锋　 周伯萌　苏建志　 (74)专利代理机构 泉州商正智慧专利代理事务 所(特殊普通合伙) 35276 专利代理师 王旋梅 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种高介电常数锆钛酸铅薄膜的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种高介电常数锆钛酸铅薄 膜的制备方法，包括如下步骤：1)将PbO、TiO 和 2 ZrO 按一定质量比混合，混匀后再添加聚乙烯醇 2 (PVA)水溶液，充分研磨，压制成靶，再进行一次 烧结 ；2)将步骤1)烧结后的物质进行球磨粉碎 后，再往其内加入过渡金属氧化物，充分研磨，压 制成靶，再进行二次烧结，烧结后制成掺杂锆钛 酸铅靶材；3)用磁控溅射方法对烧结后制成的掺 杂锆钛酸铅靶材进行锆钛酸铅薄膜沉积，并在一 定功率密度下进行溅射；4)将锆钛酸铅

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