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PCT发明

溅射靶及溅射靶的制造方法

2023-06-15 07:06:12 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202280006272.5
  • 公开（公告）日：2025-04-25
  • 公开（公告）号：CN116261605A
  • 申请人：JX金属株式会社
摘要：一种溅射靶，其是由包括靶材和基材的多个构成构件构成的溅射靶，所述多个构成构件包括彼此层叠的第一构成构件和第二构成构件，所述第一构成构件含有Al，并且所述第二构成构件含有Cu，所述第一构成构件和所述第二构成构件中的至少一方含有Mg，所述溅射靶在所述第一构成构件与所述第二构成构件之间具有合金层，所述合金层含有Al和Cu，并相接于所述第一构成构件和所述第二构成构，所述合金层在至少所述合金层的一部分还包括含有5.0at％以上的Mg的含Mg层。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116261605 A (43)申请公布日 2023.06.13 (21)申请号 202280006272.5 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 (22)申请日 2022.06.10 专利代理师 吕琳　朴秀玉 (30)优先权数据 (51)Int.Cl . 2021-131384 2021.08.11 JP C23C 14/34 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2023.01.18 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2022/023495 2022.06.10 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2023/017667 JA 2023.02.16 (71)申请人 JX金属株式会社 地址 日本东京 (72)发明人 村田周平　岩渊将也　佐藤祐介　 权利要求书2页 说明书8页 附图3页 (54)发明名称 溅射靶及溅射靶的制造方法 (57)摘要 一种溅射靶，其是由包括靶材和基材的多个 构成构件构成

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