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发明

STM诱导单原子层氮化物生长的方法

2023-07-21 07:14:28 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202310414724.X
  • 公开（公告）日：2025-04-25
  • 公开（公告）号：CN116445890A
  • 申请人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：本发明公开了一种STM诱导单原子层氮化物生长的方法，包括：选择至少含有ⅢA族金属的有机分子前体和至少含有ⅢA族金属卤化物的分子前体，通过STM的针尖向其注入电子束，使所述有机分子前体和分子前体发生断键以获取有机分子前体和分子前体内的所需基团；通过STM的针尖施加电压，引导所述有机分子前体和分子前体内所需的基团进行聚合，生成单原子层氮化物。本发明的STM诱导单原子层氮化物生长的方法，其能够利用探针尖端精确操纵原子或者分子，诱导含有ⅢA族金属和ⅢA族金属卤化物的分子进行耦合重组，实现单层氮化物生长。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116445890 A (43)申请公布日 2023.07.18 (21)申请号 202310414724.X (22)申请日 2023.04.18 (71)申请人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿 生研究所 地址 215123 江苏省苏州市工业园区若水 路398号 (72)发明人 李春晓　宋文涛　吴伟汉　陈科蓓　 韩厦　徐科　 (74)专利代理机构 苏州三英知识产权代理有限 公司 32412 专利代理师 仲崇明 (51)Int.Cl. C23C 16/34 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图2页 (54)发明名称 STM诱导单原子层氮化物生长的方法 (57)摘要 本发明公开了一种STM诱导单原子层氮化物 生长的方法，包括 ：选择至少两种含有Ⅲ族金属 的有机分子前体，通过STM的针尖向其注入电子 束，使所述有机分子前体发生断键以获取有机分 子前体内的所需基团；通过STM的针尖施加电压， 引导所述有机分子前体内所需的基团进行聚合， 生成单原子层氮化物。本发明的STM诱导单原子 层氮化物生长的方法，其能够利用探针尖端精确 操纵原子或者分子，诱导含有Ⅲ族金属的分子进 行耦合重组，实现单层氮化物生长。 A 0 9 8 5 4 4 6 1 1 N C CN 116445890 A

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