发明

一种清洁方法2025

2024-03-25 07:52:57 发布于四川 4
  • 申请专利号:CN202311764326.7
  • 公开(公告)日:2025-04-25
  • 公开(公告)号:CN117737695A
  • 申请人:湖南德智新材料股份有限公司
摘要:本发明涉及碳化硅清洁领域,提供了一种清洁方法,该方法包括使用清洁气体清洁位于基材表面的含碳化硅的堆积物;所述基材包括位于基底表面的热解碳涂层;所述热解碳涂层由聚酰亚胺和纳米微晶纤维素热解得到;所述清洁气体为三氟化氯。通过该方法能够使得碳化硅薄膜或颗粒从热解碳表面脱落,实现CVD反应器的清洁,同时,能够减少三氟化氯对反应器和基底的腐蚀,提高反应器的使用寿命。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117737695 A (43)申请公布日 2024.03.22 (21)申请号 202311764326.7 (22)申请日 2023.12.20 (71)申请人 湖南德智新材料有限公司 地址 412000 湖南省株洲市天元区金马路 156号湖南德智半导体产业园1号厂房 (72)发明人 廖家豪 窦坤鹏 柴攀 万强  (74)专利代理机构 北京布瑞知识产权代理有限 公司 11505 专利代理师 殷淑超 (51)Int.Cl. C23C 16/44 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) B08B 7/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 (54)发明名称 一种清洁方法 (57)摘要 本发明涉及碳化硅清洁领域,提供了一种清 洁方法,该方法包括使用清洁气体清洁位于基材 表面的含碳化硅的堆积物;所述基材包括位于基 底表面的热解碳涂层;所述热解碳涂层由聚酰亚 胺和纳米微晶纤维素热解得到;所述清洁气体为 三氟化氯。通过该方法能够使得碳化硅薄膜或颗 粒从热解碳表面脱落,实现CVD反应器的清洁,同 时,能够减少三氟化氯对反应器和基底的腐蚀, 提高反应器的使用寿命。 A 5 9 6 7 3 7 7 1 1 N C CN 117737695 A 权 利 要 求 书 1/

最新专利