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发明

一种SrHfS3掺Eu发光薄膜及其制备方法2025

2024-06-01 07:23:20 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202410178950.7
  • 公开（公告）日：2025-06-17
  • 公开（公告）号：CN118062883A
  • 申请人：郑州大学
摘要：本发明涉及发光二极管器件中的发光薄膜领域，硫化物钙钛矿虽然具有高稳定性、良好导电性、适宜稀土发光离子掺杂而发光等优势，但是存在稀土掺杂的硫化物钙钛矿薄膜制备困难等问题。本发明公开了一种SrHfS3掺Eu发光薄膜及其制备方法，包括以下步骤：通过硫化获得EuS粉末，烧结为EuS靶材；基于SrHfO3靶材和EuS靶材进行共溅射获得前驱体薄膜；对前驱体薄膜进行硫化处理获得SrHfS3掺Eu薄膜。本制备方法操作简单，利用还原性气氛获得了二价Eu离子，借助溅射优势实现了Eu离子在硫化物钙钛矿中的高效掺杂。所获得的SrHfS3掺Eu发光薄膜展现出良好的结晶性和发光特性，有希望作为发光层应用于新型发光二极管器件。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118062883 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410178950.7 (22)申请日 2024.02.17 (71)申请人 郑州大学 地址 450000 河南省郑州市高新技术开发 区科学大道100号 (72)发明人 韩炎兵　方娇　梁雨润　袁亦方　 张晴　史志锋　 (51)Int.Cl. C01G 27/00 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) C09K 11/67 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图5页 (54)发明名称 一种SrHfS 掺Eu发光薄膜及其制备方法 3 (57)摘要 本发明涉及发光二极管器件中的发光薄膜 领域，硫化物钙钛矿虽然具有高稳定性、良好导 电性、适宜稀土发光离子掺杂而发光等优势，但 是存在稀土掺杂的硫化物钙钛矿薄膜制备困难 等问题。本发明公开了一种SrHfS 掺Eu发光薄膜 3 及其制备方法，包括以下步骤：通过硫化获得EuS 粉末，烧结为EuS靶材；基于SrHfO 靶材和EuS靶 3 材进行共溅射获得前驱体薄膜；对前驱体薄膜进 行硫化处理获得SrHfS 掺Eu薄膜。本制备方法操 3

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