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发明

通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法2025

2023-09-14 07:14:28 发布于四川 4
  • 申请专利号：CN202310530441.1
  • 公开（公告）日：2025-06-17
  • 公开（公告）号：CN116732497A
  • 申请人：ASMIP私人控股有限公司|||根特大学
摘要：公开了一种通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法。所述方法可以包含：使所述衬底与包括金属有机前体的第一气相反应物接触，所述金属有机前体包括选自由以下组成的群组的金属：铂、铝、钛、铋、锌和其组合。所述方法还可以包含：使所述衬底与包括四氧化钌的第二气相反应物接触，其中所述含钌膜包括钌‑铂合金或三元氧化钌中的至少一种。还公开了包含通过本发明的方法沉积的含钌膜的装置结构。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116732497 A (43)申请公布日 2023.09.12 (21)申请号 202310530441.1 C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/515 (2006.01) (22)申请日 2018.02.14 H01L 21/02 (2006.01) (62)分案原申请数据 201880088965.7 2018.02.14 (71)申请人 ASM IP私人控股有限公司 地址 荷兰阿尔梅勒 申请人 根特大学 (72)发明人 M ·明乔夫　J ·登多文　 C ·德塔韦尼尔　 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 专利代理师 王冉 (51)Int.Cl. C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/18 (2006.01) 权利要求书1页 说明书12页 附图3页 (54)发明名称 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的 方法 (57)摘要 公开了一种通过循环沉积工艺在衬底上沉 积含钌膜的方法。所述方法可以包含：使所述衬 底与包括金属有机前体的第一气相反应物接触， 所述金属有机前体包括选自由以下组成的群组 的金属：铂、铝、钛、铋

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