芯片的氧化孔径的观察装置以及方法
- 申请专利号:CN202110406350.8
- 公开(公告)日:2025-07-01
- 公开(公告)号:CN113189759A
- 申请人:华芯半导体研究院(北京)有限公司|||华芯半导体科技有限公司
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113189759 A (43)申请公布日 2021.07.30 (21)申请号 202110406350.8 G02B 21/36 (2006.01) (22)申请日 2021.04.15 (66)本国优先权数据 202120611638.4 2021.03.25 CN (71)申请人 华芯半导体研究院(北京)有限公司 地址 100020 北京市朝阳区佳汇国际中心B 座1107 申请人 华芯半导体科技有限公司 (72)发明人 王金昭 王青 江蔼庭 张杨 (74)专利代理机构 北京清亦华知识产权代理事 务所(普通合伙) 11201 代理人 周慧云 (51)Int.Cl. G02B 21/06 (2006.01) G02B 21/34 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 芯片的氧化孔径的观察装置以及方法 (57)摘要 本发明公开了芯片的氧化孔径的观察装置 以及方法,所述装置包括显微镜;载台,所述载台 设在所述显微镜的下方,所述载台上设有透光玻 璃基板,所述透光玻璃基板上放置待观察的芯 片;滤光载盘,所述滤光载盘设在所述载台的下 方,所述滤光载盘用于放置滤光片;灯罩,所述灯 罩设在所述滤光片的下方;灯箱,所述灯箱通过 光路与所述灯罩相连,所述灯箱中放置灯。该装 置有效避免了现有技术中存
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