一种MEMS悬浮敏感结构的制作方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116062681 A (43)申请公布日 2023.05.05 (21)申请号 202211515516.0 (22)申请日 2022.11.30 (71)申请人 华东光电集成器件研究所 地址 233030 安徽省蚌埠市经开区汤和路 2016号 (72)发明人 喻磊　何凯旋　朱丽　白建新　 (74)专利代理机构 安徽省蚌埠博源专利商标事 务所(普通合伙) 34113 专利代理师 杨晋弘 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81C 3/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图4页 (54)发明名称 一种MEMS悬浮敏感结构的制作方法 (57)摘要 本发明提供一种MEMS悬浮敏感结构的制作 方法 ,其特征在于：它包括以下步骤：（a）选取双 抛硅片作为衬底晶圆，在其上制备活动空腔和支 撑锚点 ；（b）在衬底晶圆上键合的一块SOI晶圆 ； （c）生长二氧化硅层；（d）二氧化硅刻蚀掩膜层的 制作；（e）刻蚀窗口的制备；（f）第一次深硅刻蚀； （g）去除二氧化硅刻蚀掩膜层；（h）第二次深硅刻 蚀；（i）去除光刻胶和氧化层刻蚀掩膜。本发明步 骤简单，实施方便，有效的改善或解决了刻蚀释 放中的散热问题，保证了深硅刻蚀释放工艺中的 完整性。 A 1 8 6 2 6 0 6 1 1 N C CN 116062681 A 权　利　要　求