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发明

一种MEMS红外光源的制造方法

2023-05-14 10:05:07 发布于四川 5
  • 申请专利号：CN202211326807.5
  • 公开（公告）日：2025-08-12
  • 公开（公告）号：CN116040574A
  • 申请人：微集电科技（苏州）有限公司
摘要：本发明属于光电技术领域，具体涉及一种MEMS红外光源的制造方法。该制造方法用于制造一种衬底和支撑层之间含有特殊空腔和反射层的MEMS红外光源。包括如下步骤：（1）衬底的掩膜处理；（2）腐蚀窗口制备；（3）各向异性腐蚀；（4）反射层制备；（5）一次抛光；（6）牺牲层制备；（7）二次抛光；（8）支撑层制备；（9）发热电极层制备；（10）发热电极焊盘制备；（11）红外发射层制备；（12）牺牲窗口制备；（13）牺牲层去除。工艺原理是：先蚀刻凹坑，再用牺牲层填平凹坑，然后在平面上生成各功能层，最后开设连通凹坑的牺牲窗口，去除牺牲层，完成产品制造。本发明生产的产品可以解决现有MEMS红外光源光电转换效率不高、产品良率低等问题。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116040574 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202211326807.5 (22)申请日 2022.10.25 (71)申请人 微集电科技（苏州）有限公司 地址 215002 江苏省苏州市中国 （江苏）自 由贸易试验区苏州片区苏州金鸡湖大 道99号苏州纳米城中北区23幢214室 (72)发明人 刘军林　吕全江　侯海港　刘桂武　 乔冠军　郝俊操　夏松敏　陈杰　 (74)专利代理机构 合肥市泽信专利代理事务所 (普通合伙) 34144 专利代理师 潘飞 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书3页 说明书15页 附图13页 (54)发明名称 一种MEMS红外光源的制造方法 (57)摘要 本发明属于光电技术领域 ，具体涉及一种 MEMS红外光源的制造方法。该制造方法用于制造 一种衬底和支撑层之间含有特殊空腔和反射层 的MEMS红外光源。包括如下步骤：(1)衬底的掩膜 处理；(2)腐蚀窗口制备；(3)各向异性腐蚀；(4) 反射层制备；(5)一次抛光；(6)牺牲层制备 ；(7) 二次抛光；(8)支撑层制备；(9)发热电极层制备； (10)发热电极焊盘制备；(11)红外发射层制备； (12)移除窗口制备；(13)牺牲层去除。工艺原理 是：先蚀刻凹坑，再用牺牲层填平凹坑，然后在平

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