单晶硅振膜的MEMS电容式声传感器结构及制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114804008 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210525264.3 G01H 11/06 (2006.01) (22)申请日 2022.05.15 (71)申请人 中北大学 地址 030051 山西省太原市尖草坪区学院 路3号 (72)发明人 王任鑫　张文栋　李照东　张国军　 穆罕默德 ·伊尔马兹　 埃汉 ·博兹库尔特　张赛　杨玉华　 何常德　崔建功　 (74)专利代理机构 太原倍智知识产权代理事务 所(普通合伙) 14111 专利代理师 张宏 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 单晶硅振膜的MEMS电容式声传感器结构及 制备方法 (57)摘要 本发明为一种单晶硅振膜的MEMS电容式声 传感器结构，属于超声换能器技术领域。本发明 包括自上而下叠层设置的振膜层、环状支撑壁层 和衬底层，振膜层形成有若干个呈阵列排布的振 膜，振膜层和衬底层之间的环状支撑壁层上形成 有若干个呈阵列排布的空腔，空腔与振膜相互对 应；振膜上均布设置有若干通孔，衬底层的顶面 上形成有延伸孔；振膜层、通孔、衬底层、延伸孔 上均形成有绝缘层；振膜层上设置有上电极层，