发明

一种应用于RRAM存算电路的电流减法电路及方法

2023-05-15 09:28:41 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310103377.9
  • 公开(公告)日:2025-07-04
  • 公开(公告)号:CN116030863A
  • 申请人:中科南京智能技术研究院
摘要:本发明公开了一种应用于RRAM存算电路的电流减法电路及方法,旨在解决现有技术中使用电流比较器对存算乘累加结果进行量化操作存在量化逻辑复杂、量化周期长的问题,包括第一钳位电路、第二钳位电路、PMOS电流镜电路和NMOS电流镜电路;所述PMOS电流镜电路包括8个PMOS晶体管,所述NMOS电流镜电路包括4个NMOS晶体管;通过检测减法电路中流过两个电流支路的电流大小判断RRAM阵列乘累加运算结果的符号与大小。本发明通过电流镜结构的电路实现减法运算,运算逻辑较为简单,减小了电路的复杂性和设计难度。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116030863 A (43)申请公布日 2023.04.28 (21)申请号 202310103377.9 (22)申请日 2023.02.08 (71)申请人 中科南京智能技术研究院 地址 211135 江苏省南京市江宁区创研路 266号麒麟人工智能产业园8栋8层 (72)发明人 周玉梅 黎涛 乔树山 尚德龙  (74)专利代理机构 南京纵横知识产权代理有限 公司 32224 专利代理师 董建林 (51)Int.Cl. G11C 11/417 (2006.01) G11C 11/412 (2006.01) G06F 7/50 (2006.01) G06F 7/575 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图1页 (54)发明名称 一种应用于RRAM存算电路的电流减法电路 及方法 (57)摘要 本发明公开了一种应用于RRAM存算电路的 电流减法电路及方法,旨在解决现有技术中使用 电流比较器对存算乘累加结果进行量化操作存 在量化逻辑复杂、量化周期长的问题,包括第一 钳位电路、第二钳位电路、PMOS电流镜电路和 NMOS电流镜电路;所述PMOS电流镜电路包括8个 PMOS晶体管,所述NMOS电流镜电路包括4个NMOS 晶体管;通过检测减法电路中流过两个电流支路 的电流大小判断RRAM阵列乘累加运算结果的符 号与大小。本发明通过电流镜结构的电路实现减 法运算,运算逻辑较为简单,减

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