1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 物理
PCT发明

经写入掩码的锁存器位单元2025

2023-12-17 07:53:23 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202280031999.9
  • 公开（公告）日：2025-07-01
  • 公开（公告）号：CN117242523A
  • 申请人：超威半导体公司
摘要：SRAM的经写入掩码的锁存器位单元包括写入掩码电路，该写入掩码电路响应于第一写入掩码信号的断言而致使写入数据节点的值为第一值并且响应于第二写入掩码信号的断言而致使该写入数据节点的该值具有第二值。传输门响应于写入字线信号被断言而将该写入数据节点上的该数据供应到该位单元的内部节点。在该第一写入掩码信号和该第二写入掩码信号被解除断言时，保持器电路独立于该写入字线信号的值而维持该第一节点的该值。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117242523 A (43)申请公布日 2023.12.15 (21)申请号 202280031999.9 (74)专利代理机构 上海胜康律师事务所 31263 专利代理师 李献忠　罗婷婷 (22)申请日 2022.05.05 (51)Int.Cl . (30)优先权数据 G11C 11/419 (2006.01) 63/185,207 2021.05.06 US 17/359,254 2021.06.25 US (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2023.10.30 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2022/027789 2022.05.05 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2022/235877 EN 2022.11.10 (71)申请人 超威半导体公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 拉塞尔 ·J ·施莱伯　约翰·J ·吴　 权利要求书4页 说明书6页 附图12页 (54)发明名称 经写入掩码的锁存器位单元 (57)摘要 SRAM的经写入掩码的锁存器位单元包括写 入掩码电路，该写入掩码电路响应于第一写入掩 码信号的断言而致使写入数据

最新专利

相关专利