一种相对于叠层金属侧蚀可控的W蚀刻液及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116334626 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202211669852.0 (22)申请日 2022.12.25 (71)申请人 湖北兴福电子材料股份有限公司 地址 443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大 道66-3号 (72)发明人 彭浩　尹印　万杨阳　贺兆波　 张庭　王亮　余迪　叶瑞　 (74)专利代理机构 宜昌市三峡专利事务所 42103 专利代理师 成钢 (51)Int.Cl. C23F 1/26 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图8页 (54)发明名称 一种相对于叠层金属侧蚀可控的W蚀刻液及 其制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种相对于叠层金属侧蚀可控 的W层蚀刻液及其制备方法。其组成包括氧化剂、 助氧剂、缓冲试剂、抑制剂、表面活性剂和超纯 水。该蚀刻液利用氧化剂将W被氧化形成氧化物 而被蚀刻；无机酸作为次氧化剂；醋酸铵等缓冲 试剂为蚀刻液提供了稳定的蚀刻环境；抑制剂可 以抑制铝离子和铜离子对W蚀刻的影响 ；表面活 性剂可以降低溶液表面张力，促进W蚀刻的均匀 性和完整性。本发明提供了一种相对于叠层金属 侧蚀可控的W蚀刻液及其制备方法，按照方法使 用该蚀刻液不仅能有效控制叠层金属中W层被蚀 A 刻，还可实现W的蚀刻精度高和蚀刻形貌好等优 6 良品质，并且保证TiN和Ti层金属未被蚀刻，AlCu 2 6 4 具有极低蚀刻速率。 3