一种基于水平梯度凝固法生长化合物半导体单晶的气相掺杂方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114855261 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210279110.0 (22)申请日 2022.03.21 (71)申请人 西北工业大学 地址 710072 陕西省西安市友谊西路127号 (72)发明人 郑丹　王涛　 (74)专利代理机构 西安匠星互智知识产权代理 有限公司 61291 专利代理师 屠沛 (51)Int.Cl. C30B 11/06 (2006.01) C30B 29/48 (2006.01) C30B 29/46 (2006.01) C30B 33/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图3页 (54)发明名称 一种基于水平梯度凝固法生长化合物半导 体单晶的气相掺杂方法 (57)摘要 本发明提供了一种基于水平梯度凝固法生 长化合物半导体单晶的气相掺杂方法基于化合 物半导体晶体生长技术，解决了化合物半导体生 长过程中存在的本征缺陷和电学性能不均匀的 问题。该方法将生长原料和掺杂剂分离开，通过 多段控温的晶体生长炉进行温度控制，在同一个 容器中同时实现多晶料的合成、晶体生长与退火 工艺。按照温度设计，严格控制掺杂剂的温度来 调控掺杂剂在不同生长阶段的气体压力，使气态 掺杂元素在晶体生长过程中掺入晶体内部格点 位置，能够保证掺杂剂在生长全过程中的掺杂均 A 匀性和晶格完整性，从而实现对缺陷补偿和电学 1 性质均匀调控，获得在径向和轴向