发明

一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法

2023-06-07 21:40:36 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202211647886.X
  • 公开(公告)日:2025-05-02
  • 公开(公告)号:CN115726034A
  • 申请人:郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
摘要:本发明公开了一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,通过化学气相沉积在衬底表面沉积生长形成一次外延层,再用激光将多个衬底正交交点处的晶体缺陷去除并形成矩形槽;通过常规清洗和离子清洗去除拼接晶体一次外延层表面的污染物后,通过化学气相沉积在一次外延层表面生长单晶金刚石二次外延层;采用该方法拼接生长后能够得到拼接晶体多个衬底正交交点处无晶体缺陷的大尺寸单晶金刚石拼接晶体。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115726034 A (43)申请公布日 2023.03.03 (21)申请号 202211647886.X (22)申请日 2022.12.21 (71)申请人 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 地址 450001 河南省郑州市高新区梧桐街 121号 (72)发明人 刘晖 周文涛 吴晓磊 徐帅  潘红星 闫建明 曹博伦  (74)专利代理机构 郑州联科专利事务所(普通 合伙) 41104 专利代理师 程世芳 (51)Int.Cl. C30B 29/04 (2006.01) C30B 25/20 (2006.01) C30B 33/08 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图5页 (54)发明名称 一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝 质量的方法 (57)摘要 本发明公开了一种二次外延提高大尺寸单 晶金刚石接缝质量的方法,通过化学气相沉积在 衬底表面沉积生长形成一次外延层,再用激光将 多个衬底正交交点处的晶体缺陷去除并形成矩 形槽;通过常规清洗和离子清洗去除拼接晶体一 次外延层表面的污染物后,通过化学气相沉积在 一次外延层表面生长单晶金刚石二次外延层;采 用该方法拼接生长后能够得到拼接晶体多个衬 底正交交点处无晶体缺陷的大尺寸单晶金刚石 拼接晶体。 A 4 3 0 6 2 7 5 1 1 N C CN 115726034 A

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