一种具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶及其制备方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117721539 A (43)申请公布日 2024.03.19 (21)申请号 202311764239.1 (22)申请日 2023.12.20 (71)申请人 武汉理工大学 地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路 122号 申请人 广东汇成真空科技股份有限公司 (72)发明人 章嵩　李宝文　涂溶　张联盟　 李志荣　李迎春　 (74)专利代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限 公司 42102 专利代理师 官群 (51)Int.Cl. C30B 29/46 (2006.01) C30B 29/68 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种具有超晶格结构的二维Bi Se 单晶及 4 3 其制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种具有超晶格结构的二维 Bi Se 单晶及其制备方法，所述具有超晶格结构 4 3 的二维Bi Se 单晶为正六边形形状的单层单晶 4 3 纳米片，等效直径为5 ～20 μm ，厚度为4 ～25nm。 本发明提供的具有超晶格结构的二维Bi Se 单 4 3 晶为厚度可控的大尺寸