半导体存储器件、半导体存储系统及其驱动方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420103 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202010716528.4 (22)申请日 2020.07.23 (30)优先权数据 10-2019-0102537 2019.08.21 KR (71)申请人 爱思开海力士有限公司 地址 韩国京畿道 (72)发明人 金泰镐　 (74)专利代理机构 北京弘权知识产权代理事务 所(普通合伙) 11363 代理人 许伟群　阮爱青 (51)Int.Cl. G11C 13/00 (2006.01) G11C 29/42 (2006.01) 权利要求书5页 说明书13页 附图24页 (54)发明名称 半导体存储器件、半导体存储系统及其驱动 方法 (57)摘要 提供一种半导体存储器件、半导体存储系统 及其驱动方法。半导体存储器件包括电阻变化存 储器件，所述电阻变化存储器件包括控制电路块 和与控制电路块电连接的多个存储层。半导体存 储器件包括模式生成块、位置校正块和位置确定 块。模式生成块接收行地址、列地址和存储层选 择信号而生成多个模式生成信号，所述多个模式 生成信号用于以各种模式选择存储层中的多个 存储单元。位置校正块接收临时代码并且将存储 层的位置反映在临时代码中以输出校正代码，所 述临时代码用于将存储单元分类为临时近单元 A 区域和临时远单元区域。位置确定块被配置为基 3 于模式生成信号和校正代码而生成第一重置信 0 1