发明

一种降低接触电阻的方法及组件

2024-02-22 07:01:30 发布于四川 28
  • 申请专利号:CN202211568343.9
  • 公开(公告)日:2024-02-20
  • 公开(公告)号:CN115602721A
  • 申请人:杭州晶宝新能源科技有限公司
摘要:本发明公开了一种降低接触电阻的方法及组件,用于降低半导体器件的金属‑半导体界面的接触电阻,所述半导体器件还包括至少一组电极,所述电极分别连接于所述半导体器件的金属端和半导体端,所述方法包括:获取所述半导体器件的工艺参数,其中,所述工艺参数包括材料参数和结构参数;根据所述工艺参数获取电流脉冲控制参数,所述电流脉冲控制参数包括目标电流脉冲的脉冲电流强度、脉冲宽度和脉冲数量;控制脉冲电源按照所述电流脉冲控制参数向所述电极施加所述目标电流脉冲,使电流脉冲穿越所述金属‑半导体界面,实现界面微区瞬态达到目标温度。本发明通过简单工艺处理的方式,能够有效降低金属‑半导体界面的接触电阻。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115602721 A (43)申请公布日 2023.01.13 (21)申请号 202211568343.9 (22)申请日 2022.12.08 (71)申请人 杭州晶宝新能源科技有限公司 地址 310000 浙江省杭州市西湖区西溪街 道马塍路36号1幢五层508室 (72)发明人 李晓强 陈鹏  (74)专利代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务 所(特殊普通合伙) 11463 专利代理师 梁韬 (51)Int.Cl. H01L 29/45 (2006.01) H01L 29/40 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) 权利要求书1页 说明书10页 附图7页 (54)发明名称 一种降低接触电阻的方法及组件 (57)摘要 本发明公开了一种降低接触电阻的方法及 组件,用于降低半导体器件的金属‑半导体界面 的接触电阻,所述半导体器件还包括至少一组电 极,所述电极分别连接于所述半导体器件的金属 端和半导体端,所述方法包括:获取所述半导体 器件的工艺参数,其中,所述工艺参数包括材料 参数和结构参数;根据所述工艺参数获取电流脉 冲控制参数,所述电流脉冲控制参数包括目标电 流脉冲的脉冲电流强度、脉冲宽度和脉冲数量; 控制脉冲电源按照所述电流脉冲控制参数向所 述电极施加所述目标电流脉冲,使电流脉冲穿越 所述金属‑半导体界面,实现界面微区瞬态达到 A 目标温度。本发明通过简单工艺处理的方式,能

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