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发明

表征半导体激光器抗回光能力的评价方法及系统2025

2024-03-25 07:52:24 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202311757887.4
  • 公开（公告）日：2025-04-29
  • 公开（公告）号：CN117740324A
  • 申请人：中国人民解放军国防科技大学
摘要：本发明提出一种表征半导体激光器抗回光能力的评价方法及系统，通过构建测量光路，测得进入待表征半导体激光器中波长范围为λ1到λ2激光的功率Pi以及待表征半导体激光器输出激光经过掺杂光纤吸收后的功率Po和光谱I(λ)，基于剩余比例a、功率Pi、功率Po和光谱I(λ)计算出平均放大倍数F；基于平均放大倍数F的大小评价半导体激光器抗回光能力的强弱。本发明所提供的评价方法具有通用性，可以评价不同类型的半导体激光器在不同工作状态下，对不同波长范围、不同功率激光的抗回光能力。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117740324 A (43)申请公布日 2024.03.22 (21)申请号 202311757887.4 (22)申请日 2023.12.20 (71)申请人 中国人民解放军国防科技大学 地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路 109号 (72)发明人 陈金宝　马鹏飞　刘伟　姚天甫　 陈益沙　王小林　王泽锋　刘文广　 (74)专利代理机构 长沙国科天河知识产权代理 有限公司 43225 专利代理师 周达 (51)Int.Cl. G01M 11/00 (2006.01) G01M 11/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 表征半导体激光器抗回光能力的评价方法 及系统 (57)摘要 本发明提出一种表征半导体激光器抗回光 能力的评价方法及系统，通过构建测量光路，测 得进入待表征半导体激光器中波长范围为λ 到 1 λ 激光的功率P 以及待表征半导体激光器输出 2 i 激光经过掺杂光纤吸收后的功率P 和光谱I o (λ) ，基于剩余比例a、功率P 、功率P 和光谱I i o (λ)计算出平均放大倍数F；基于平均放大倍数F 的大小评

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