发明

晶圆级多级真空度环境的封装方法、装置及介质

2023-07-16 07:22:17 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202310299232.0
  • 公开(公告)日:2025-07-15
  • 公开(公告)号:CN116425107A
  • 申请人:中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院
摘要:本发明提供一种晶圆级多级真空度环境的封装方法、装置及介质,涉及微系统及微纳器件技术领域,方法包括:通过设置M种密封圈,在预先设置的晶圆上形成N个待封装器件对应的M种待封装微腔结构,M种密封圈发生键合的第一温度与M种待封装微腔结构中待封装器件对应的封装优先级的顺序呈负相关,M种密封圈中包括至少一个第一密封圈,第一密封圈包括至少一个通气道;按照M种待封装微腔结构中待封装器件对应的封装优先级从高到低的顺序,对M种待封装微腔结构依次执行封装操作,形成包括M种密封结构的多级真空度环境微腔,包括M种密封结构的多级真空度环境微腔的真空度环境,为预先设置的M种待封装微腔结构中待封装器件对应的需求真空度环境。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116425107 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202310299232.0 (22)申请日 2023.03.24 (71)申请人 中国人民解放军军事科学院国防科 技创新研究院 地址 100071 北京市丰台区东大街53号院 (72)发明人 王晓晶 罗晓亮 崔辛 张佩佩  王浩旭 梁秀兵 胡振峰  (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限 公司 11002 专利代理师 耿琦 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图3页 (54)发明名称 晶圆级多级真空度环境的封装方法、装置及 介质 (57)摘要 本发明提供一种晶圆级多级真空度环境的 封装方法、装置及介质,涉及微系统及微纳器件 技术领域,方法包括:通过设置M种密封圈,在预 先设置的晶圆上形成N个待封装器件对应的M种 待封装微腔结构,M种密封圈发生键合的第一温 度与M种待封装微腔结构中待封装器件对应的封 装优先级的顺序呈负相关,M种密封圈中包括至 少一个第一密封圈,第一密封圈包括至少一个通 气道;按照M种待封装微腔结构中待封装器件对 应的封装优先级从高到低的顺序,对M种待封装 微腔结构依次执行封装操作,形成包括M种密封 A 结构的多级真空度环境微腔,包

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