晶圆级多级真空度环境的封装方法、装置及介质
- 申请专利号:CN202310299232.0
- 公开(公告)日:2025-07-15
- 公开(公告)号:CN116425107A
- 申请人:中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116425107 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202310299232.0 (22)申请日 2023.03.24 (71)申请人 中国人民解放军军事科学院国防科 技创新研究院 地址 100071 北京市丰台区东大街53号院 (72)发明人 王晓晶 罗晓亮 崔辛 张佩佩 王浩旭 梁秀兵 胡振峰 (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限 公司 11002 专利代理师 耿琦 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图3页 (54)发明名称 晶圆级多级真空度环境的封装方法、装置及 介质 (57)摘要 本发明提供一种晶圆级多级真空度环境的 封装方法、装置及介质,涉及微系统及微纳器件 技术领域,方法包括:通过设置M种密封圈,在预 先设置的晶圆上形成N个待封装器件对应的M种 待封装微腔结构,M种密封圈发生键合的第一温 度与M种待封装微腔结构中待封装器件对应的封 装优先级的顺序呈负相关,M种密封圈中包括至 少一个第一密封圈,第一密封圈包括至少一个通 气道;按照M种待封装微腔结构中待封装器件对 应的封装优先级从高到低的顺序,对M种待封装 微腔结构依次执行封装操作,形成包括M种密封 A 结构的多级真空度环境微腔,包
最新专利
- MEMS压电传感器系统三维封装结构及其散热方法公开日期:2025-07-25公开号:CN116443806A申请号:CN202310287939.XMEMS压电传感器系统三维封装结构及其散热方法
- 发布时间:2023-07-21 07:12:290
- 申请号:CN202310287939.X
- 公开号:CN116443806A
- MEMS器件防电磁串扰封装工艺公开日期:2025-07-25公开号:CN115838155A申请号:CN202211419606.XMEMS器件防电磁串扰封装工艺
- 发布时间:2023-04-16 07:09:200
- 申请号:CN202211419606.X
- 公开号:CN115838155A
- 一种具有Z轴止挡的圆片级真空封装方法和MEMS封装结构公开日期:2025-07-25公开号:CN114906796A申请号:CN202110175301.8一种具有Z轴止挡的圆片级真空封装方法和MEMS封装结构
- 发布时间:2023-05-20 10:59:380
- 申请号:CN202110175301.8
- 公开号:CN114906796A
- 半导体器件制造方法及电子装置公开日期:2025-07-22公开号:CN114314500A申请号:CN202011069514.4半导体器件制造方法及电子装置
- 发布时间:2023-05-06 09:50:330
- 申请号:CN202011069514.4
- 公开号:CN114314500A
- 一种成像芯片批量表面处理、分区功能化的装置及方法公开日期:2025-07-22公开号:CN115973995A申请号:CN202211623269.6一种成像芯片批量表面处理、分区功能化的装置及方法
- 发布时间:2023-05-28 09:10:210
- 申请号:CN202211623269.6
- 公开号:CN115973995A
- 一种低检测限MEMS乙炔气体传感器及制备方法公开日期:2025-07-18公开号:CN116281841A申请号:CN202310249660.2一种低检测限MEMS乙炔气体传感器及制备方法
- 发布时间:2023-06-27 09:41:070
- 申请号:CN202310249660.2
- 公开号:CN116281841A