一种n型掺杂碳化硅的外延生长工艺2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117373913 A (43)申请公布日 2024.01.09 (21)申请号 202311354763.1 (22)申请日 2023.10.19 (71)申请人 瀚天天成电子科技（厦门）股份有限 公司 地址 361101 福建省厦门市厦门火炬高新 区同翔高新城市头东二路198-1号 (72)发明人 梁瑞　刘杰　钱卫宁　冯淦　 赵建辉　 (74)专利代理机构 厦门市首创君合专利事务所 有限公司 35204 专利代理师 陈淑娴 (51)Int.Cl. H01L 21/205 (2006.01) C23C 16/32 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种n型掺杂碳化硅的外延生长工艺 (57)摘要 本发明公开了一种n型掺杂碳化硅的外延生 长工艺，是将碳化硅衬底置于反应腔室中，在氢 气气氛中对衬底进行预刻蚀处理后，通入碳源和 硅源作为生长源气，使用六甲基二硅氮烷作为n 型掺杂源，由氢气携带六甲基二硅氮烷进入反应 腔室，生长n型掺杂碳化硅外延片。本发明可以有 效地将N元素掺杂入SiC晶格中，提高了掺杂效 率，减少了N元素在腔体环境中的残留，可有效降 低碳化硅外延生长过程中掺杂浓度受背景浓度 的影响，实现掺杂浓度的精确控制；在连续的外 延生长过程中，提高掺杂浓度的稳定性。 A 3 1 9 3 7 3 7 1 1