一种存储芯片工作应力的模拟方法、设备及存储介质
- 申请专利号:CN202310109331.8
- 公开(公告)日:2025-07-04
- 公开(公告)号:CN116312733A
- 申请人:北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116312733 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310109331.8 (22)申请日 2023.02.14 (71)申请人 北京国家新能源汽车技术创新中心 有限公司 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术 开发区泰河三街9号院国盛高新科技 工业园1号楼10层 (72)发明人 侯越 (74)专利代理机构 北京一品慧诚知识产权代理 有限公司 11762 专利代理师 杨文 (51)Int.Cl. G11C 29/56 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种存储芯片工作应力的模拟方法、设备及 存储介质 (57)摘要 本发明涉及存储芯片工作应力模拟技术领 域,公开了一种存储芯片工作应力的模拟方法、 设备及存储介质,包括以下步骤:S1:测试平台系 统获取存储芯片的基础信息;S2:根据需求对存 储芯片进行分区,划分工作应力施加区域及无工 作应力施加区域;S3:测试平台系统从算法库中 提取算法并分配到工作应力施加区域上;S4:工 作应力施加区域通过测试平台系统模拟控制存 储芯片的参数配置 ;S5:工作应力施加区域通过 测试平台系统根据存储芯片的基础信息从驱动 库中获取驱动配置;S6:测试平台系统通过S5的 A 驱动配置后对工作应力施加区域进行工作应力 3 模拟。通过划分存储芯片为工作应力施加区域和 3
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