发明

可降低掩膜复杂度的光学临近修正掩膜优化方法

2023-04-24 09:59:24 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202111270835.5
  • 公开(公告)日:2025-01-24
  • 公开(公告)号:CN114019761A
  • 申请人:智腾科技股份有限公司
摘要:本发明属于芯片制造领域,提出了可降低掩膜复杂度的光学临近修正掩膜优化方法。该方法提出了一种用于光学临近修正的可以对抗偏差的新型损失函数。在考虑了打印误差和工艺偏差环的影响之外,引入一项代表掩膜与目标图像的偏差来规范掩膜的几何特征,通过对解空间添加限制,在掩膜的图像生成质量和复杂度之间取得更好地平衡;对工艺偏差建模优化,产生的掩膜版能更有效对抗工艺偏差。优化芯片制造掩膜版,使得光刻之后的图案有较高的保真度。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114019761 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111270835.5 (22)申请日 2021.10.29 (71)申请人 智腾科技股份有限公司 地址 中国香港新界沙田科学园科技大道东 16号海滨大楼2座1楼 (72)发明人 虞子阳  (74)专利代理机构 大连星河彩舟专利代理事务 所(普通合伙) 21263 代理人 陈玲玉 刘斌 (51)Int.Cl. G03F 1/36 (2012.01) G03F 7/20 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图1页 (54)发明名称 可降低掩膜复杂度的光学临近修正掩膜优 化方法 (57)摘要 本发明属于芯片制造领域,提出了可降低掩 膜复杂度的光学临近修正掩膜优化方法。该方法 提出了一种用于光学临近修正的可以对抗偏差 的新型损失函数。在考虑了打印误差和工艺偏差 环的影响之外,引入一项代表掩膜与目标图像的 偏差来规范掩膜的几何特征,通过对解空间添加 限制,在掩膜的图像生成质量和复杂度之间取得 更好地平衡;对工艺偏差建模优化,产生的掩膜 版能更有效对抗工艺偏差。优化芯片制造掩膜 版,使得光刻之后的图案有较高的保真度。 A 1 6 7 9 1 0 4 1 1 N C CN 114019761 A 权 利 要 求 书

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