PCT发明

在陶瓷涂层中形成具有可调体积分数的纳米孪晶区

2023-06-07 23:29:35 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202180017613.4
  • 公开(公告)日:2023-03-17
  • 公开(公告)号:CN115812002A
  • 申请人:北京科技大学
摘要:在一般方面,本申请公开了一种制造具有可调体积分数的纳米孪晶区的陶瓷薄膜。在一些方面,本申请公开了一种用于在真空室中的衬底的表面上制造陶瓷薄膜的方法。陶瓷薄膜包括多个晶粒;每个晶粒包括一个或多个纳米孪晶区。一个或多个纳米孪晶区的体积分数在陶瓷薄膜的30~80%的范围内。准备包括多种溅射材料的多个靶。在真空室中形成气体气氛。向多个靶供应电能以引起多种溅射材料的共溅射,从而形成具有一个或多个纳米孪晶区的陶瓷薄膜。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115812002 A (43)申请公布日 2023.03.17 (21)申请号 202180017613.4 (22)申请日 2021.07.15 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2022.08.29 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/CN2021/106414 2021.07.15 (71)申请人 北京科技大学 地址 100083 北京市海淀区学院路30号 (72)发明人 庞晓露 郭涛 高克玮  (74)专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事 务所(普通合伙) 11277 专利代理师 刘新宇 李茂家 (51)Int.Cl. A99Z 99/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图13页 (54)发明名称 在陶瓷涂层中形成具有可调体积分数的纳 米孪晶区 (57)摘要 在一般方面,本申请公开了一种制造具有可 调体积分数的纳米孪晶区的陶瓷薄膜。在一些方 面,本申请公开了一种用于在真空室中的衬底的 表面上制造陶瓷薄膜的方法。陶瓷薄膜包括多个 晶粒;每个晶粒包括一个或多个纳米孪晶区。一 个或多个纳米孪晶区的体积分数在陶瓷薄膜的 30~80%的范围内。准备包括多种溅射材料的多 个靶。在真空室中形成气体气氛。向多个靶供应 电能以引起多种溅射材料的共溅射,从而形成具 有一个或多个纳米孪晶区的陶瓷薄膜。 A 2 0 0 2 1 8 5 1 1 N C

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