多弧离子镀膜装置
- 申请专利号:CN202210517313.9
- 公开(公告)日:2025-04-22
- 公开(公告)号:CN114717522A
- 申请人:沈阳爱科斯科技有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114717522 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210517313.9 (22)申请日 2022.05.12 (71)申请人 沈阳爱科斯科技有限公司 地址 110000 辽宁省沈阳市沈北新区蒲河 路83-42号 (72)发明人 王君 闫超颖 依君 梁惠朋 (74)专利代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务 所(特殊普通合伙) 11463 专利代理师 王震 (51)Int.Cl. C23C 14/32 (2006.01) C23C 14/02 (2006.01) C23C 14/50 (2006.01) C23C 14/56 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) 权利要求书5页 说明书20页 附图10页 (54)发明名称 多弧离子镀膜装置 (57)摘要 本申请涉及真空镀膜技术领域,尤其是涉及 一种多弧离子镀膜装置。该多弧离子镀膜装置包 括镀膜模组,镀膜模组包括真空室、镀膜弧源和 刻蚀弧源,镀膜弧源和刻蚀弧源均与真空室相连 接,真空室的内部用于通入反应气体。该多弧离 子镀膜装置采用刻蚀弧源和阳极组件组成的刻 蚀组件对工件表面进行刻蚀处理,再通过镀膜弧 源对工件进行沉积镀膜,能够提高工件外表面与 膜层之间结合力,使得工件表面获得致密、高硬 度、高耐磨的高性能功能膜层,以应对各种复杂 工况和工艺需求。 A
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