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多弧离子镀膜装置

2023-05-15 11:30:21 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202210517313.9
  • 公开(公告)日:2025-04-22
  • 公开(公告)号:CN114717522A
  • 申请人:沈阳爱科斯科技有限公司
摘要:本申请涉及真空镀膜技术领域,尤其是涉及一种多弧离子镀膜装置。该多弧离子镀膜装置包括镀膜模组,镀膜模组包括真空室、镀膜弧源和刻蚀弧源,镀膜弧源和刻蚀弧源均与真空室相连接,真空室的内部用于通入反应气体。该多弧离子镀膜装置采用刻蚀弧源和阳极组件组成的刻蚀组件对工件表面进行刻蚀处理,再通过镀膜弧源对工件进行沉积镀膜,能够提高工件外表面与膜层之间结合力,使得工件表面获得致密、高硬度、高耐磨的高性能功能膜层,以应对各种复杂工况和工艺需求。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114717522 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210517313.9 (22)申请日 2022.05.12 (71)申请人 沈阳爱科斯科技有限公司 地址 110000 辽宁省沈阳市沈北新区蒲河 路83-42号 (72)发明人 王君 闫超颖 依君 梁惠朋  (74)专利代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务 所(特殊普通合伙) 11463 专利代理师 王震 (51)Int.Cl. C23C 14/32 (2006.01) C23C 14/02 (2006.01) C23C 14/50 (2006.01) C23C 14/56 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) 权利要求书5页 说明书20页 附图10页 (54)发明名称 多弧离子镀膜装置 (57)摘要 本申请涉及真空镀膜技术领域,尤其是涉及 一种多弧离子镀膜装置。该多弧离子镀膜装置包 括镀膜模组,镀膜模组包括真空室、镀膜弧源和 刻蚀弧源,镀膜弧源和刻蚀弧源均与真空室相连 接,真空室的内部用于通入反应气体。该多弧离 子镀膜装置采用刻蚀弧源和阳极组件组成的刻 蚀组件对工件表面进行刻蚀处理,再通过镀膜弧 源对工件进行沉积镀膜,能够提高工件外表面与 膜层之间结合力,使得工件表面获得致密、高硬 度、高耐磨的高性能功能膜层,以应对各种复杂 工况和工艺需求。 A

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