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发明

一种钽铌酸钾晶体与电极形成欧姆接触的电光元件及制备方法

2023-06-07 23:04:38 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202211521235.6
  • 公开（公告）日：2025-03-04
  • 公开（公告）号：CN115786863A
  • 申请人：山东省科学院新材料研究所
摘要：本发明涉及光电功能晶体器件电极制备技术领域，具体涉及一种钽铌酸钾晶体与电极形成欧姆接触的电光元件及制备方法。该电光元件的制备方法，包括如下步骤：(1)采用离子掺杂生长的钽铌酸钾晶体，对其进行光学级抛光；(2)用磁控溅射在钽铌酸钾晶体表面镀双层金属薄膜电极；(3)在紫外激光辐照的条件下对镀膜晶体进行快速退火。采用离子掺杂的钽铌酸钾晶体，减小金属和晶体间的势垒宽度，使电子或空穴更容易发生隧穿，降低实现欧姆接触所需的退火温度。同时通过在退火过程加入激光辐照，进一步降低使钽铌酸钾晶体与电极形成欧姆接触的退火温度，避免高温退火对晶体内部的破坏，制得的电光元件光学质量好，电学性能稳定。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115786863 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211521235.6 G02F 1/29 (2006.01) (22)申请日 2022.11.30 (71)申请人 山东省科学院新材料研究所 地址 250013 山东省济南市历下区科院路 19号 (72)发明人 刘冰　胡申奥　王旭平　邱程程　 禹化健　乔攀雨　张绍东　 (74)专利代理机构 济南舜源专利事务所有限公 司 37205 专利代理师 张营磊 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/18 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01) G02F 1/03 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种钽铌酸钾晶体与电极形成欧姆接触的 电光元件及制备方法 (57)摘要 本发明涉及光电功能晶体器件电极制备技 术领域，具体涉及一种钽铌酸钾晶体与电极形成 欧姆接触的电光元件及制备方法。该电光元件的 制备方法，包括如下步骤：(1)采用离子掺杂生长 的钽铌酸钾晶体，对其进行光学级抛光；(2)用磁 控溅射在钽铌酸钾晶体表面镀双层金属薄膜电 极；(3)在紫外激光辐照的条件下对镀膜晶体进 行快速退火。采用离子掺杂的钽铌酸钾晶体，减 小金属和晶体间的

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