一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112376035 A (43)申请公布日 2021.02.19 (21)申请号 202011200900.2 (22)申请日 2020.11.02 (71)申请人 南昌大学 地址 330031 江西省南昌市红谷滩新区学 府大道999号 申请人 南昌硅基半导体科技有限公司 (72)发明人 全知觉　诸荣烽　曹盛　吴先民　 何丽华　汤绘华　佟金山　 (74)专利代理机构 江西省专利事务所 36100 代理人 张文 (51)Int.Cl. C23C 16/34 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/48 (2006.01) C23C 16/458 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应 装置 (57)摘要 本发明公开了一种适用于制备高In组分 InGaN材料的反应装置，该反应装置包括反应腔 体、样品台装置、束源炉、气体离化器、真空系统 和加热装置，其中：加热装置包括衬底加热装置 和腔体加热装置。本发明提供的反应装置通过在 加热器载板上设置衬底加热装置和带冷却管道 的反光杯，使得加热光束和辐射热量聚焦至衬底 的表面，提高了加热功率利用率，并隔绝加热光 源对腔体内的各种元器件的直接辐照，降低了元 器件因温度过高而产生损坏的风险。本发明提供 的