实用新型

超声换能器器件2023

2023-10-01 07:27:46 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202223066986.1
  • 公开(公告)日:2023-09-29
  • 公开(公告)号:CN219765916U
  • 申请人:意法半导体股份有限公司
摘要:本公开的实施例一种超声换能器器件,包括具有第一主表面和第二主表面的半导体本体并且包括:第一腔室,其在距所述第一主表面一定距离处延伸到所述半导体本体中;由所述半导体本体在所述第一主表面和所述第一腔室之间形成的膜;膜上的压电元件;在所述第一腔室和所述第二主表面之间延伸到所述半导体本体中的第二腔室;中心流体通道,所述中心流体通道从所述第二主表面到所述第一腔室延伸到所述半导体本体中并且横穿所述第二腔室;以及一个或多个横向流体通道,所述一个或多个横向流体通道从所述第二主表面延伸到所述半导体本体中到达所述第二腔室。利用本公开的实施例有利地改善了待检测物体和超声换能器器件之间的最小可检测相对距离。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219765916 U (45)授权公告日 2023.09.29 (21)申请号 202223066986.1 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 (22)申请日 2022.11.18 (30)优先权数据 102021000029288 2021.11.19 IT 18/053,718 2022.11.08 US (73)专利权人 意法半导体股份有限公司 地址 意大利阿格拉布里安扎 (72)发明人 D ·朱斯蒂 M ·费雷拉  L ·滕托里  (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 专利代理师 丁君军 (51)Int.Cl. B06B 1/06 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书13页 附图10页 (54)实用新型名称 超声换能器器件 (57)摘要 本公开的实施例一种超声换能器器件,包括 具有第一主表面和第二主表面的半导体本体并 且包括 :第一腔室,其在距所述第一主表面一定 距离处延伸到所述半导体本体中;由所述半导体 本体在所述第一主表面和所述第一腔室之间形 成的膜;膜上的压电元件;在所述第一腔室和所 述第二主表面之间延伸到所述半导体本体中的 第二腔室 ;中心流体通道,所述中心流体通道从 所述第二主表面到所述第一腔室延伸到所述半 导体本体中并且横穿所述第二腔室