1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 作业/运输
发明

一种基于KNN和应力释放凹槽的TFT-PMUTs、制备方法、应用和超声触觉感知检测设备

2023-07-30 07:17:10 发布于四川 2
  • 申请专利号：CN202310467430.3
  • 公开（公告）日：2025-04-15
  • 公开（公告）号：CN116493234A
  • 申请人：西安交通大学
摘要：本发明公开了一种基于KNN和应力释放凹槽的TFT‑PMUTs、制备方法、应用和超声触觉感知检测设备，该TFT‑PMUTs包括压电式微机械超声换能器和薄膜晶体管，压电式微机械超声换能器中每个单元的底电极的轴心设有单元中心支柱，每个压电式微机械超声换能器阵元的中心设置阵元中心支柱；KNN压电层在压电式微机械超声换能器阵元的中心位置空白区域设置阵元中心支柱；结构层上设有应力释放凹槽；阵元中心支柱和单元中心支柱与薄膜晶体管的电压开关一一正对连接，每个阵元中心支柱处的顶电极、以及每个单元中心支柱对应的底电极与薄膜晶体管上和他们位置相对的电压开关电连接；单元边界支柱与薄膜晶体管表面键合连接。本发明传感器能够进行触觉感知和轨迹检测，且灵敏度较高，可进行批量化制造。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116493234 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310467430.3 (22)申请日 2023.04.26 (71)申请人 西安交通大学 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西 路28号 (72)发明人 赵立波　马琦　李支康　李梓璇　 秦韶辉　石璇　袁佳炜　赵一鹤　 袁铮　罗国希　杨萍　王永录　 王久洪　蒋庄德　 (74)专利代理机构 西安通大专利代理有限责任 公司 61200 专利代理师 张宇鸽 (51)Int.Cl. B06B 1/06 (2006.01) G01S 15/58 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图5页 (54)发明名称 一种基于KNN和应力释放凹槽的TFT-PMUTs 及其制备方法和应用 (57)摘要 本发明公开了一种基于KNN和应力释放凹槽 的TFT‑PMUTs及其制备方法和应用，该TFT‑PMUTs 包括压电式微机械超声换能器和薄膜晶体管，压 电式微机械超声换能器中每个单元的底电极的 轴心设有单元中心支柱，每个压电式微机械超声 换能器阵元的中心设置阵元中心支柱；KNN压电 层在压电式微机械超声换能器阵元的中心位置 空白区域设置阵元中心支柱；结构层上设有应力 释放凹槽；阵元中心支柱和单元中心支柱与薄膜 晶体管的电压开关一一正对连接，每个阵元中

最新专利

相关专利