反应腔体以及薄膜沉积设备2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117187782 A (43)申请公布日 2023.12.08 (21)申请号 202311153774.3 (22)申请日 2023.09.07 (71)申请人 拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公 司 地址 110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900 号 (72)发明人 魏薇　褚鑫辉　张赛谦　王婷　 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公 司 31100 专利代理师 胡林岭 (51)Int.Cl. C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/458 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 反应腔体以及薄膜沉积设备 (57)摘要 本发明提供了一种反应腔体和薄膜沉积设 备。该反应腔体包括：传片口；可移动块体，设置 在该传片口下方并具有内侧壁和外侧壁；气缸推 动组件，安装在该可移动块体下方；以及导轨组 件，设置在该可移动块体的两侧；其中，当进行工 艺制程时，该气缸推动组件带动该可移动块体上 升，使该可移动块体组件沿着该导轨组件上升直 至该传片口空间被封堵。 A 2 8 7 7 8 1 7 1 1 N C CN 117187782 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.