含强放射源的三维辐射剂量场的半物理仿真方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114815662 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210464808.X (22)申请日 2022.04.25 (71)申请人 上海交通大学 地址 200240 上海市闵行区东川路800号 (72)发明人 潘清泉　刘晓晶　熊进标　柴翔　 张滕飞　 (74)专利代理机构 上海交达专利事务所 31201 专利代理师 王毓理　王锡麟 (51)Int.Cl. G05B 17/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图7页 (54)发明名称 含强放射源的三维辐射剂量场的半物理仿 真方法 (57)摘要 一种含强放射源的三维辐射剂量场的半物 理仿真方法，采用实体构造结构对放射源及周边 的包覆结构进行几何建模与材料建模，并根据放 射性核素的物理特性设置放射源；然后通过在模 型中降低实体结构的密度，获得三维辐射剂量场 的全局基准分布，以该全局基准分布计算重要性 参数；再逐渐提高实体结构的密度，并基于重要 性参数进行全减方差模拟，获得三维辐射剂量场 的全局渐近分布；最后结合全局基准分布和全局 渐近分布计算出真实密度条件下的三维辐射剂 量场的全局近似分布，进而设置重要性参数并执 A 行蒙卡计算，以获得真实密度条件下的三维辐射 2 剂量场分布。本发明能够有效提升蒙卡屏蔽计算 6 6 5 的效率，实现对真实物理模型的高效精准的半物 1 8 4 理仿真，从而提高放射源处理的安全性和可控 1 1 N 性。 C CN